对辐射感应闭锁窗口现象的解释
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Analysis of Latch-up Single Window and Multi-window Phenomena in CMOS Devices
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    中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上,提出了解释窗口现象的“三径”闭锁模型。应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。

    Abstract:

    When CMOS devices are irradiated by transient radiation, phenomena of latch-up single window or multi-window may appear. To find the cause of latch-up window phenomena many references concerned in detail are studied and the reciprocity of several paths in

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引用本文

许献国,杨怀民,胡建栋.对辐射感应闭锁窗口现象的解释[J].太赫兹科学与电子信息学报,2004,2(4):

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