一种抗辐照的光电探测芯片设计
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Design of radiation hardening optical receiver chip
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    摘要:

    光电耦合器的核心模块是光电探测芯片。介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于0.5 μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固。测试结果表明,抗总剂量能力达到200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达10 MBd,其输入高电流范围为6~18 mA。

    Abstract:

    The core module of photoelectric coupler is optical receiver chip. A kind of radiation-hardened optical receiver chip design is introduced, and the circuit is based on 0.5 μm standard Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) technology, which consists of Transimpedance Amplifier(TIA), reference, comparator, and so on. The circuit is hardened in radiation by circuit structure and layout design. Results indicate that the chip performs well when the total ionizing dose attains to 200 krad(Si). The chip data transfer rate can be up to 10 MBd, and its high input current ranges from 6 mA to 18 mA.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

何林彦,罗 萍,周 枭,凌荣勋.一种抗辐照的光电探测芯片设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2019,17(3):515~518

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  • 收稿日期:2017-12-27
  • 最后修改日期:2018-02-02
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  • 在线发布日期: 2019-07-09
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