DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型
作者:
作者单位:

1.中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;2.新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;3.中国科学院大学,北京 100049;4.中国科学院 微电子研究所,北京 100029

作者简介:

王海洋(1998-),男,山西省朔州市人,在读硕士研究生,主要研究方向为SOI总剂量辐射效应及模型研究.email:827083469@qq.com.
郑齐文(1987-),男,山东省济宁市人,博士,副研究员,主要研究方向为大规模集成电路测试、辐射效应、可靠性及SOI总剂量辐射效应及模型研究.
崔江维(1983-),女,石家庄市人,研究员,博士生导师,主要研究方向为半导体材料和器件的辐射效应与可靠性.
李小龙(1988-),男,甘肃省武威市人,博士,助理研究员,主要研究方向为电子元器件辐射效应及加速评估法.
李豫东(1982-),男,新疆伊犁市人,研究员,博士生导师,主要研究方向为半导体器件和集成电路的辐射效应与机理、模拟试验方法、试验系统研究.
李博(1983-),男,石家庄市人,博士,研究员,主要研究方向为半导体器件和电路.
郭旗(1964-),男,乌鲁木齐市人,研究员,博士生导师,主要研究方向为电子元器件辐射效应、辐射损伤机理、模拟试验技术和空间辐射环境在轨测量技术.

通讯作者:

郭旗 email:guoqi@ms.xjb.ac.cn

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(12075313);新疆维吾尔自治区自然科学基金资助项目(2021D01E06);中科院西部之光资助项目(2018-XBQNXZ-B-003);中国科学院青年创新促进会资助项目(2020430;2018473)

伦理声明:



DSOI total dose-effect model and back-bias control model
Author:
Ethical statement:

Affiliation:

1.Key Laboratory of Functional Material and Devices for Special Environment,Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry,Chinese Academy of Sciences,Urumqi Xinjiang 830011,China;2.Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device,Urumqi Xinjiang 830011,China;3.University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;4.Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China

Funding:

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    摘要:

    总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背栅偏置电压补偿辐照导致的器件参数退化。本文研究了总剂量辐照对双埋氧层绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)总剂量损伤规律及背栅偏置调控规律,分析了辐射导致晶体管电参数退化机理,建立了DSOI晶体管总剂量效应模拟电路仿真器(SPICE)模型。模型仿真晶体管阈值电压与实测结果≤6 mV,同时根据总剂量效应模型给出了相应的背栅偏置补偿模型,通过晶体管背偏调控总剂量效应SPICE模型仿真输出的补偿电压与试验测试结果对比,N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的背偏调控模型误差为9.65%,P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)为5.24%,该模型可以准确反映DSOI器件辐照前后阈值特性变化,为器件的背栅加固提供参考依据。

    Abstract:

    The total dose damage to the Double buried oxide layer Silicon-On-Insulator silicon Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(DSOI MOSFET) is studied as well as the regulation of the back gate bias by the total dose radiation. The mechanism of the degradation of the electrical parameters of the transistor caused by the radiation is analyzed, and DSOI transistor total dose effect Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis(SPICE) model is established. The model simulates the transistor threshold voltage, the simulated and measured results are below 6 mV. The corresponding back gate bias compensation model is given according to the total dose effect model. The SPICE model simulation output of the total dose effect is regulated by the transistor back bias. Comparing the compensation voltage with the experimental test results, the error of the back-bias control model of NMOSFET is 9.65%, and that of PMOSFET is 5.24%.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王海洋,郑齐文,崔江维,李小龙,李豫东,李博,郭旗. DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022,20(6):549~556

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  • 收稿日期:2021-12-15
  • 最后修改日期:2022-04-18
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  • 在线发布日期: 2022-07-11
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