介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量
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国家自然科学基金重点资助项目(11035004);中物院科学技术发展基金资助项目(2013A0402018),核能技术开发项目

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Measurement of on-resistance of GaAs photoconductive semiconductor switch in Dielectric Wall Accelerator
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    摘要:

    GaAs光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件,如光导开关在介质壁加速器中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响,采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线,测量了3 mm电极间隙的GaAs光导开关的通态电阻。测量结果表明:电极间隙为3 mm的GaAs光导开关的通态电阻为14.9 Ω,光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤,降低脉冲功率系统的电压输出能力,缩短GaAs光导开关的使用寿命。

    Abstract:

    GaAs Photoconductive Semiconductor Switch(PCSS) can be the main element in compact pulse power system, especially in Dielectric Wall Accelerator(DWA). The on-resistance of 3 mm gap GaAs PCSS is measured by using planar transmission line and coaxial-cable in order to study the effect of switch on-resistance on the switch performance. The results show that the measured on-resistance of GaAs switch is 14.9 Ω. The on-resistance of PCSS will cause the thermal damage to the switch, reduce the output capability of pulsed power system, and shorten the life time of GaAs PCSS as well.

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引用本文

谌 怡,刘 毅,王 卫,夏连胜,张 篁,石金水,章林文.介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量[J].太赫兹科学与电子信息学报,2013,11(6):867~870

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  • 收稿日期:2013-01-29
  • 最后修改日期:2013-03-11
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  • 在线发布日期: 2014-01-06
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