微型化太赫兹集成器件的前沿技术进展
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Frontier research on micromation and integration of terahertz devices
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    针对国际上太赫兹器件技术进展予以概括和分析,提炼出共振隧穿二极管、单向载流子传输光电二极管2种可行的小型化器件方案。在材料生长和器件结构方面分析了太赫兹波的产生原理和难点,在系统应用方面解释了短距离高速通信的实用案例。目前,采用共振隧穿二极管已实现2.5 Gbps速率的300 GHz无线通信演示实验,采用单向载流子传输光电二极管在该频点下实现了12.5 Gbps的无线通信实验。

    Abstract:

    Based on the analysis of new terahertz devices technology development,resonant tunneling diode and uni-travelling carrier photodiode are concluded as the most feasible solutions in terahertz micro-devices. In terms of material growth and device structure, the principle of terahertz source is analyzed, and the short range communication scheme is also explained. Recently, wireless communication experiment at the data rate of 2.5 Gbps@300 GHz based on resonant tunneling diode has been realized, and the experiment at the data rate of 12.5 Gbps@300 GHz based on uni-travelling carrier photodiode has also been completed.

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引用本文

宋瑞良,宋 跃.微型化太赫兹集成器件的前沿技术进展[J].太赫兹科学与电子信息学报,2015,13(3):357~360

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  • 收稿日期:2014-03-13
  • 最后修改日期:2014-05-13
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  • 在线发布日期: 2015-07-13
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