经过半年多的征稿与筹备，《半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应》专栏正式和大家见面了！

从地面到浩瀚深空，我们生产生活及国防安全中使用的电子产品，涉及半导体材料、器件、电路与集成微系统，会与多种辐射因素（包括质子、中子、重离子、高能伽马射线等）发生极为复杂的相互作用，形成各种各样的辐射效应，并通过与其他环境及工艺因素相互耦合，随尺度逐层传递、放大，给电子产品的可靠性和寿命带来不可忽视的影响。以航天领域为例，据资料记载，由各种辐射效应所引起的航天器故障约占总故障的40%左右，居航天器各类故障之首。未来航天器的运行轨道将会更加复杂，运行周期更长，运行环境更加恶劣，伴随电子产品材料体系更多样，集成度更高，功能更复杂，电子产品的辐射可靠性问题将面临更多的新挑战。因此，深入研究半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应机制，开发辐射效应多尺度建模与数值仿真技术、精密表征与实验测试技术，以此为基础提高其抗辐射能力，具有极为重要的科学意义与实际价值。

因此，本刊设立了《半导体材料、器件、电路与集成微系统的辐射效应》专栏，邀请了6位对半导体辐射效应有着深刻理解与工程实践经验的专家担任编委，组织征稿，旨在报道半导体辐射效应领域最新的研究成果，实现相关专业最新进展的互通互享，促进我国半导体辐射效应研究领域的发展。通过半年多的稿件征集，本专栏吸引了许多学者、业内人士的关注与参与，最终精选出14篇原创性论文分两期予以荟集出刊。本次专栏内容十分丰富，既有关于材料、器件辐射效应的综述，也有位移效应、单粒子效应、总剂量效应等方面的数值仿真或实验研究。在此，我们对关心并支持本专栏出版的各位领导、组稿专家学者，以及积极参与专栏征文活动的所有作者表示衷心的感谢！

专栏主编：李  沫

专栏编委：郭红霞  郭  旗  贺朝会  薛建明  郑雪峰