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2025年第4期目录

   
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专栏：宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成

集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗
  孙佳萌，付浩，魏家行，刘斯扬，孙伟锋
  2025,23(4):309-316
  [摘要](10)  [PDF 2.23 M](11)
GaN HEMT器件动态导通电阻的测试电路
  刘梦丽，李胜，马岩锋，刘斯扬，孙伟锋
  2025,23(4):317-321
  [摘要](7)  [PDF 1023.87 K](9)
国产6英寸SiC基GaN HEMT研制
  孔欣，汪昌思
  2025,23(4):322-330
  [摘要](7)  [PDF 2.44 M](5)
基于SiC DSRD纳秒级高压脉冲产生电路关键参数研究
  杨早，陈万军，陈资文
  2025,23(4):331-339
  [摘要](9)  [PDF 2.06 M](11)
高精确度大比特位延时器芯片研制
  陈月盈，刘帅，杨柳，赵子润
  2025,23(4):340-345
  [摘要](2)  [PDF 1.57 M](6)
一种具有高电流能力的雪崩触发栅控晶闸管
  孙新淇，杨禹霄，邓时雨，陈资文，刘超，孙瑞泽，陈万军
  2025,23(4):346-352
  [摘要](6)  [PDF 2.75 M](6)

太赫兹科学技术

基于THz-TDS镀银低辐射玻璃镀层质量及缺陷检测
  李昶，路学光，陈科帆，黄婉霞，李建根，赵晓健，黄维，吴翔
  2025,23(4):353-359
  [摘要](4)  [PDF 2.12 M](6)
W波段宽带带状注行波管超短高频结构设计
  郭铮，张长青，蔡军，冯进军
  2025,23(4):360-365
  [摘要](2)  [PDF 2.42 M](3)

电磁场与微波

高角度稳定的柔性透明频率选择表面吸波体
  杨午，罗隽，周艳萍，刘长军，赵翔，闫丽萍
  2025,23(4):366-375
  [摘要](3)  [PDF 4.10 M](3)
基于双频段幅相双调控超表面的阵列波束赋形
  王玲，王翔，丁军
  2025,23(4):376-384
  [摘要](2)  [PDF 2.07 M](2)
高功率微波对雷达电缆“后门”耦合特性分析
  胡欣，杨江平，孟藏珍，许一，项建涛
  2025,23(4):385-392
  [摘要](2)  [PDF 2.32 M](5)

信号与信息处理、计算机与控制

基于改进PSO算法的高增益DC/DC变换器小信号模型辨识
  陈佳，郭玉祥，刘红霞，王佳豪，宋久旭
  2025,23(4):393-402
  [摘要](2)  [PDF 2.58 M](4)
弹跳机器人跳跃姿态模糊自适应PID控制仿真
  皮明，杨涛
  2025,23(4):403-409
  [摘要](2)  [PDF 1.44 M](4)
一种基于改进ANN的光纤通信网络链路均衡方法
  宇文骊敏
  2025,23(4):410-415
  [摘要](2)  [PDF 1.05 M](1)
基于多目标优化的源网荷储协调调度求解
  宋明曙，苏常胜，吴茂乾，宋炜，何凯
  2025,23(4):416-422
  [摘要](2)  [PDF 1.26 M](3)
基于物联网的5G电力业务用户身份加密认证系统
  曹扬，苏扬，陶文伟，张富川，张国翊
  2025,23(4):423-428
  [摘要](2)  [PDF 1.42 M](3)

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